[发明专利]一种3D NAND器件中沟道层的形成方法及晶圆盒结构

权利要求书

1.一种3D NAND器件中沟道层的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有堆叠层、所述堆叠层中的沟道孔以及所述沟道孔内壁上的电荷捕获层；所述堆叠层由氮化硅层和氧化硅层交替层叠而成；

在沟道孔的侧壁上形成第一多晶硅层；

将形成有所述第一多晶硅层的衬底置于惰性气体或氮气环境中；所述惰性气体或者氮气环境由晶圆盒提供；

在所述沟道孔中形成第二多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性气体或氮气环境中的氧气含量小于或等于50ppm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆盒上设置有进气管和出气管，通过所述进气管和出气管传输惰性气体或氮气，使得晶圆盒内为惰性气体或氮气气氛。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述惰性气体或氮气传输时的气体流量范围为：10-100SLM。