[发明专利]双极型晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及双极型晶体管及其制造方法。同时实现双极型晶体管的集电极电阻的降低和基极‑集电极间电容的降低。双极型晶体管(100)具备将集电极层(3)、基极层(4)以及发射极层(5)依次层叠于子集电极层(2)的构造。在子集电极层(2)形成有集电极电极(9)。在基极层(4)形成有基极电极(10)。集电极层(3)具备配置为从子集电极层侧朝向基极层侧杂质浓度减少的多个杂质层(31、32、33、34)。杂质层(31)是多个杂质层(31、32、33、34)中杂质浓度最大的杂质层，并且与子集电极层(2)接触。杂质层(31)的薄膜电阻是子集电极层(2)的薄膜电阻的9倍以下。

主权项

1.一种双极型晶体管，包括：子集电极层，其具有相对侧的第一子集电极层表面和第二子集电极层表面以及所述第一子集电极层表面上的集电极电极；基极层，其具有相对侧的第一基极层表面和第二基极层表面以及所述第一基极层表面上的基极电极；集电极层，其具有相对侧的第一集电极层表面和第二集电极层表面，所述第一集电极层表面和所述第二集电极层表面分别与所述第二基极层表面和所述第一子集电极层表面接触，并且所述集电极层包括具有分级的杂质浓度的多个掺杂层，在所述第二集电极层表面侧的杂质浓度较高并且在所述第一集电极层表面侧的杂质浓度较低；以及发射极层，其在所述第一基极层表面上，其中：所述多个掺杂层包括第一掺杂层，其具有所述多个掺杂层中的最高杂质浓度并且与所述第一子集电极层表面接触，以及所述第一掺杂层的薄膜电阻小于或等于所述子集电极层的薄膜电阻的9倍。