[发明专利]双极型晶体管及其制造方法

说明书

本发明涉及双极型晶体管及其制造方法。同时实现双极型晶体管的集电极电阻的降低和基极‑集电极间电容的降低。双极型晶体管(100)具备将集电极层(3)、基极层(4)以及发射极层(5)依次层叠于子集电极层(2)的构造。在子集电极层(2)形成有集电极电极(9)。在基极层(4)形成有基极电极(10)。集电极层(3)具备配置为从子集电极层侧朝向基极层侧杂质浓度减少的多个杂质层(31、32、33、34)。杂质层(31)是多个杂质层(31、32、33、34)中杂质浓度最大的杂质层，并且与子集电极层(2)接触。杂质层(31)的薄膜电阻是子集电极层(2)的薄膜电阻的9倍以下。

技术领域

本发明涉及双极型晶体管及其制造方法。

背景技术

近年来，作为构成移动通信终端的高频放大器模块的晶体管主要使用异质结型的双极型晶体管(以下称为HBT)。作为对HBT要求的特性，一般可以列举出高效率、高增益、高耐压(高负载变动耐压)以及高输出等各种特性。对于第二代移动电话来说，虽然依旧处于对具有高负载变动耐压的HBT有强烈需求的状况，但除此之外，最近也处于追求进一步的高输出化的状况中。此外，对于第三代和第四代的移动电话来说，虽然对具有高附加效率的HBT的需求较高，但进一步也在追求在高效率且高增益的同时达到高输出。这样，最近可以说对具有高输出的HBT的需求进一步增强了。

作为提及这种HBT的结构的文献，已知有日本特开2006-60221号公报以及日本特开2008-130586号公报。这些文献所记载的HBT具有在基板上依次形成有如下部件的构造：作为n型集电极区域发挥功能的子集电极层和集电极层、作为p型基极区域发挥功能的基极层以及作为n型发射极区域发挥功能的发射极层。集电极层具有层叠多个杂质层的构造，各杂质层的施主杂质浓度被调整为从子集电极层侧朝向基极层侧逐渐减少。将发射极区域中流过实质的发射极电流的区域称为本征发射极区域。由于在基极区域、集电极区域，电流也流过本征发射极区域的正下方的各区域，所以将本征发射极区域与其正下方的基极区域以及集电极区域称作本征HBT。

日本特开2006-60221号公报的图1A所记载的HBT的集电极层从接近子集电极层的一侧开始依次具有第一n型杂质层、第二n型杂质层以及第三n型杂质层。第一n型杂质层具有7×10¹⁶cm^-3以上10×10¹⁶cm^-3以下的杂质浓度和200nm以上400nm以下的厚度。第二n型杂质层具有4×10¹⁶cm^-3以上7×10¹⁶cm^-3以下的杂质浓度和200nm以上400nm以下的厚度。第三n型杂质层具有0.5×10¹⁶cm^-3以上4×10¹⁶cm^-3以下的杂质浓度和100nm以上500nm以下的厚度。子集电极层具有4×10¹⁸cm^-3的杂质浓度和400nm的厚度。