[发明专利]超结器件

摘要

本发明公开了一种超结器件，过渡区中包括P型环和多晶硅总线；多晶硅总线和电荷流动区中的所述多晶硅栅相连接；在多晶硅总线的内侧和外侧分别形成有一个将P型环连接到由正面金属层组成的源极的接触孔；超结器件反向时，终端电流会经过P型环后同时通过内外侧接触孔导通到源极，利用外侧接触孔远离电荷流动区中特点，使终端电流远离位于电荷流动区中的寄生三极管，从而提高器件的EAS能力。本发明能改善器件的EAS能力。

主权项

一种超结器件，其特征在于：超结器件的中间区域为电荷流动区，终端保护区形成于所述电荷流动区的周侧，过渡区位于所述终端保护区和所述电荷流动区之间；超结结构由多个N型柱和P型柱交替排列组成，一个所述N型柱和相邻的一个所述P型柱组成一个超结单元；在所述电荷流动区中一个所述超结单元中形成有一个所述超结器件单元，所述超结器件单元包括栅极结构和由P阱组成的沟道区，所述N型柱在所述超结器件导通时作为漂移区，由N+区组成的源区形成于所述沟道区的表面，所述栅极结构包括栅介质层和多晶硅栅，被所述多晶硅栅覆盖的所述沟道区表面形成连接所述源区和所述漂移区的沟道；所述过渡区中包括P型环和多晶硅总线；所述P型环和最外侧的所述超结器件单元相邻，所述P型环覆盖一个以上的所述超结单元；所述多晶硅总线和所述电荷流动区中的所述多晶硅栅相连接；在所述多晶硅总线和所述电荷流动区之间的所述P型环顶部形成有内侧接触孔，在所述多晶硅总线和所述终端保护区之间的所述P型环顶部形成有外侧接触孔，所述内侧接触孔和所述外侧接触孔的底部都和所述P型环接触并将所述P型环连接到由正面金属层组成的源极；超结器件反向时，终端电流会经过所述P型环后同时通过所述内侧接触孔和所述外侧接触孔导通到所述源极，利用所述外侧接触孔远离所述电荷流动区中特点，使终端电流远离位于所述电荷流动区中的寄生三极管，从而提高器件的EAS能力。