[发明专利]一种金属埋层高散热GaN二极管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710768045.7 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107634104B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张敬伟;袁俊;李百泉;杨永江;孙安信;耿伟 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L23/373;H01L23/367;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属埋层高散热GaN二极管结构及其制备方法，该GaN二极管结构的GaN外延层与衬底之间设置有金属埋层，所述金属埋层为三层金属导热层。本申请利用金属导热率高特点，结合Bonding技术在衬底和GaN之间制作一层具有高导热性质的金属，解决了GaN器件的散热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 层高 散热 gan 二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属埋层高散热GaN二极管结构，其特征在于，所述GaN二极管结构的GaN外延层与衬底之间设置有金属埋层，所述金属埋层为三层金属导热层。
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