[发明专利]一种金属埋层高散热GaN二极管结构及其制备方法

权利要求书

1.一种金属埋层高散热GaN二极管结构，其特征在于，所述GaN二极管结构的GaN外延层与衬底之间设置有金属埋层，所述金属埋层为三层金属导热层；从所述GaN外延层表面到所述衬底一侧的表面三层所述金属导热层依次为第一金属导热层、第二金属导热层、第三金属导热层，所述衬底的另一侧设置导热结构，所述GaN外延层被刻蚀到所述第一金属导热层表面后，导热金属连接所述第一金属导热层和所述导热结构。

2.根据权利要求1所述的金属埋层高散热GaN二极管结构，其特征在于，所述三层金属导热层从上之下依次为Ag层、In层和Ag层；或者Au层、In层和Au层；或者Au层、In层和Ag层。

3.一种权利要求1-2任一所述的金属埋层高散热GaN二极管结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

1)在衬底上通过外延的方式得到GaN外延层；

2)在所述GaN外延层表面依次蒸镀第一金属导热层和第二金属导热层，标记为材料一；

3)选取另一衬底，在该衬底的表面蒸镀第三金属导热层，标记为材料二；

4)通过Bonding设备将所述材料一和所述材料二的金属面相对粘附在一起形成新结构；

5)将材料二的衬底通过光刻胶保护的方式保护起来，然后在专用的衬底材料的腐蚀液中将材料一的衬底材料腐蚀干净，露出GaN外延层；

6)通过刻蚀GaN外延层到所述第一金属导热层的表面，之后通过导热金属连接到衬底的导热结构上形成新的具有金属埋层的高散热GaN二极管结构。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属导热层、第二金属导热层以及第三金属导热层分别为Ag层、In层和Ag层；或者Au层、In层和Au层；或者Au层、In层和Ag层。