[发明专利]一种栅极结构的制备方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种栅极结构的制备方法，包括提供一基板，并于基板上形成一复合结构；刻蚀第一多晶硅层和第二多晶硅层的暴露出的上表面一预设厚度；于第一多晶硅层和第二多晶硅层刻蚀后暴露出的上表面及侧壁上覆盖一防护层；刻蚀覆盖有防护层的第一多晶硅层和第二多晶硅层的上表面以将第一多晶硅层和第二多晶硅层的连接隔断，形成相互独立的一第一栅极和一第二栅极；能够对栅极结构的多晶硅暴露的表面进行保护，从而避免多晶硅掺杂类型不同在多晶硅表面产生过刻蚀的缺陷，以提高MOS器件的性能。

主权项

一种栅极结构的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一基板，并于所述基板上形成一复合结构，所述复合结构包括水平排列的第一掺杂类型的一第一多晶硅层和第二掺杂类型的一第二多晶硅层，位于所述第一多晶硅层上未完全覆盖的第一栅极保护层，以及位于所述第二多晶硅层上未完全覆盖的第二栅极保护层；步骤S2，刻蚀所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层暴露出的上表面一预设厚度；步骤S3，于所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层刻蚀后暴露出的上表面及侧壁上覆盖一防护层；步骤S4，刻蚀覆盖有所述防护层的所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的上表面以将所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的连接隔断，形成相互独立的一第一栅极和一第二栅极。