[发明专利]一种栅极结构的制备方法

权利要求书

1.一种栅极结构的制备方法，其特征在于，包括：

步骤S1，提供一基板，并于所述基板上形成一复合结构，所述复合结构包括水平排列的第一掺杂类型的一第一多晶硅层和第二掺杂类型的一第二多晶硅层，位于所述第一多晶硅层上未完全覆盖的第一栅极保护层，以及位于所述第二多晶硅层上未完全覆盖的第二栅极保护层；

步骤S2，刻蚀所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层暴露出的上表面一预设厚度；

步骤S3，于所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层刻蚀后暴露出的上表面及侧壁上覆盖一防护层；

步骤S4，刻蚀覆盖有所述防护层的所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的上表面以将所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的连接隔断，形成相互独立的一第一栅极和一第二栅极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4包括：

步骤S41，采用对所述防护层为高刻蚀比的刻蚀工艺一次刻蚀覆盖有所述防护层的所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的上表面，直至刻蚀空间纵向延伸至邻近所述基板的上表面；

步骤S42，二次刻蚀去除残余的所述防护层以及邻近所述基板的第一多晶硅层和所述第二多晶硅层，形成相互独立的所述第一栅极和所述第二栅极。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预设厚度为80～120A。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基底的顶层包括一栅氧化层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述防护层为氧化物。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述第一栅极保护层和所述第二栅极保护层的形成方法为：

刻蚀覆盖于所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层上的一栅极保护预制备层，形成位于所述第一多晶硅层上未完全覆盖的所述第一栅极保护层，以及位于所述第二多晶硅层上未完全覆盖的所述第二栅极保护层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述栅极保护预制备层的形成方法为：

于所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的上方依次制备一氧化硅层和一氮化硅层，所述氧化硅层和所述氮化硅层形成所述栅极保护预制备层。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用氧气等离子工艺处理得到所述防护层。