[发明专利]3D存储器的蚀刻方法

摘要

本发明提供了一种3D存储器的蚀刻方法，该方法包括以SiON层形成硬掩膜，利用该硬掩模先刻蚀形成顶部选择栅极层沟槽、台阶结构，沉积第二氧化硅层，沉积层间介质层，随后采用化学机械抛光工艺进行表面平坦化，去除SiON层后进行沟道通孔蚀刻，形成多个沟道通孔。本方法由于将形成台阶的掩模和形成顶部选择栅极线(TSG)的掩模合并为一个掩模，使得初始台阶层的刻蚀和顶部选择栅极线(TSG)沟槽的刻蚀以同一个硬掩膜、在同一个步骤中实现，实现了台阶刻蚀和顶部选择栅极沟槽刻蚀的对准，并且提高了套刻精度，避免了不必要的误差。

主权项

1.一种3D存储器的蚀刻方法，该方法包括：/n提供一半导体衬底，在半导体衬底上沉积第一氧化硅/氮化硅堆叠层，在堆叠层顶部利用原位水汽生成工艺形成SiON层；/n以SiON层形成硬掩膜，使得该硬掩膜具有对应顶部选择栅极层的沟槽的图案，利用该硬掩模先刻蚀形成顶部选择栅极层沟槽；/n使得该硬掩膜具有对应于台阶结构的掩模图案，利用该硬掩模刻蚀形成台阶结构，最终台阶结构的顶层为部分未蚀刻的硬掩膜层图案；/n对顶部选择栅极层的沟槽和台阶区域沉积第二氧化硅层，所述第二氧化硅层填补刻蚀的顶部选择栅极层的沟槽内部，并覆盖台阶表面；/n在整个器件之上形成层间介质层，随后采用化学机械抛光工艺进行表面平坦化直至暴露SiON层；/n去除SiON层；/n进行沟道通孔蚀刻，形成多个沟道通孔。/n