[发明专利]一种限流二极管

摘要

本发明属于半导体技术领域，涉及一种限流二极管。本发明提出了一种新型限流二极管，运用薄势垒AlGaN/GaN异质结上生长电荷恢复层调制二维电子气的技术，在实现器件增强型，具有较低开启电压，较大反向耐压的前提下，该结构的优势在于电荷恢复层刻蚀所用的氟基气体对于电荷恢复层下方的势垒层几乎不会造成任何刻蚀效果，最终可以实现自终止在AlGaN界面处以实现对势垒层精确控制的目的。该发明避免对AlGaN层的刻蚀，不会对AlGaN层造成破坏，所以器件具有较大的电流密度，较高的电子迁移率和较低的导通电阻。

主权项

一种限流二极管，包括衬底(1)、衬底上方的异质结、异质结上方的电荷恢复层(7)、栅极、源极、漏极(5)，所述异质结由GaN层与GaN层上方的AlGaN层形成，所述栅极位于异质结上方且与之形成肖特基接触，所述源极和漏极位于电荷恢复层(7)上表面两侧，所述源极上表面具有源极金属；所述漏极上表面具有漏极金属；其特征在于：所述AlGaN层为薄势垒层，厚度为3‑10nm；所述栅极为通过局部全刻蚀电荷恢复层(7)形成的凹槽栅(9)结构，所述栅极与源极相邻，且栅极金属延伸至部分源极上表面；所述漏极金属沿电荷恢复层(7)上表面向靠近源极的方向延伸，且与漏极侧面相连部分的漏极金属向下延伸至电荷恢复层(7)中，延伸至电荷恢复层(7)中部分的漏极金属为阶梯状结构。