[发明专利]一种限流二极管

权利要求书

1.一种限流二极管，包括衬底(1)、衬底上方的异质结、异质结上方的电荷恢复层(7)、栅极、源极、漏极(5)，所述异质结由GaN层与GaN层上方的AlGaN层形成；所述栅极为肖特基金属，位于异质结上方且与AlGaN层接触形成肖特基接触；所述源极和漏极位于电荷恢复层(7)上表面两侧；所述源极为欧姆金属；所述漏极为欧姆金属与肖特基金属组成的阶梯状叠层结构；其特征在于：所述AlGaN层为薄势垒层，厚度为3-10nm；所述栅极为通过局部全刻蚀电荷恢复层(7)形成的凹槽栅(9)结构；所述栅极与源极相邻，且栅极延伸至源极上表面；所述漏极肖特基金属部分位于欧姆金属上方，其余部分沿电荷恢复层(7)上表面向靠近源极的方向延伸，且与漏极欧姆金属侧面相连部分的肖特基金属通过局部不完全刻蚀电荷恢复层(7)形成阶梯状结构(8)。

2.根据权利要求1所述的一种限流二极管，其特征在于：所述电荷恢复层(7)厚度为10-200nm。

3.根据权利要求1所述一种限流二极管，其特征在于：所述栅极与异质结之间具有电介质层。

4.根据权利要求3所述的一种限流二极管，其特征在于：所述电介质层采用的材料为Al₂O₃、SiO₂、Si₃N₄、Ta₂O₅、MgO、Sc₂O₃、LaLuO₃、TiO₂其中的一种或多种的复合。