[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710749648.2 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107833914B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 白川彻;田中裕之 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置。RC‑IGBT与具有IGBT部但不具有FWD部的半导体芯片相比，设置FWD部的部分使得半导体芯片的芯片面积变大。寻求缩小RC‑IGBT的半导体芯片的芯片面积。本发明的半导体装置具备：晶体管部，具有多个晶体管；续流二极管部，在俯视晶体管部的情况下，续流二极管部至少与晶体管部的一边对置，且设置于晶体管部的外侧；以及栅流道部和栅衬垫部，在俯视晶体管部的情况下，栅流道部和栅衬垫部与晶体管部接触地设置，并且不包围晶体管部的整个外侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：晶体管部，具有多个晶体管；续流二极管部，在俯视所述晶体管部的情况下，所述续流二极管部至少与所述晶体管部的一边对置，并且设置于所述晶体管部的外侧；以及栅流道部和栅衬垫部，在俯视所述晶体管部的情况下，所述栅流道部和栅衬垫部与所述晶体管部接触地设置，并且不包围所述晶体管部的整个外侧。
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