[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

晶体管部，具有多个晶体管；

续流二极管部，在俯视所述晶体管部的情况下，所述续流二极管部至少与所述晶体管部的一边对置，并且设置于所述晶体管部的外侧；以及

栅流道部和栅衬垫部，在俯视所述晶体管部的情况下，所述栅流道部和栅衬垫部与所述晶体管部接触地设置，并且不包围所述晶体管部的整个外侧，

在俯视所述晶体管部的情况下，所述续流二极管部连续地设置于所述晶体管部的外侧、所述栅流道部的外侧和所述栅衬垫部的外侧，

所述续流二极管部为对矩形环状的四边之中的一边切口而成的形状。

2.一种半导体装置，其特征在于，具备：

晶体管部，具有多个晶体管；

续流二极管部，在俯视所述晶体管部的情况下，所述续流二极管部至少与所述晶体管部的一边对置，并且设置于所述晶体管部的外侧；以及

栅流道部和栅衬垫部，在俯视所述晶体管部的情况下，所述栅流道部和栅衬垫部与所述晶体管部接触地设置，并且不包围所述晶体管部的整个外侧，

在俯视所述晶体管部的情况下，所述续流二极管部连续地设置于所述晶体管部的外侧、所述栅流道部的外侧和所述栅衬垫部的外侧，

所述续流二极管部设置在矩形环状的四边之中的不同方向的两边。

3.一种半导体装置，其特征在于，具备：

晶体管部，具有多个晶体管；

续流二极管部，在俯视所述晶体管部的情况下，所述续流二极管部至少与所述晶体管部的一边对置，并且设置于所述晶体管部的外侧；以及

栅流道部和栅衬垫部，在俯视所述晶体管部的情况下，所述栅流道部和栅衬垫部与所述晶体管部接触地设置，并且不包围所述晶体管部的整个外侧，

在俯视所述晶体管部的情况下，所述续流二极管部连续地设置于所述晶体管部的外侧、所述栅流道部的外侧和所述栅衬垫部的外侧，

所述续流二极管部设置在矩形环状的四边之中的一边。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在俯视所述晶体管部的情况下，所述续流二极管部不设置于所述晶体管部的内侧。

5.一种半导体装置，其特征在于，具备：

晶体管部，具有多个晶体管；

续流二极管部，在俯视所述晶体管部的情况下，所述续流二极管部至少与所述晶体管部的一边对置，并且设置于所述晶体管部的外侧；以及

栅流道部和栅衬垫部，在俯视所述晶体管部的情况下，所述栅流道部和栅衬垫部与所述晶体管部接触地设置，并且不包围所述晶体管部的整个外侧，

所述半导体装置还具备边缘终端部，在俯视所述晶体管部的情况下，所述边缘终端部位于所述续流二极管部的外侧，

所述续流二极管部具有发射沟槽部，所述发射沟槽部的至少一部分与从所述边缘终端部延伸的绝缘膜重叠。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备布线部，所述布线部与所述半导体装置的外部电导通，并且在俯视所述晶体管部的情况下，所述布线部设置于所述晶体管部的内侧。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备：

半导体基板，设置有所述晶体管部和所述续流二极管部；以及

焊料层，与设置于所述半导体基板的背面的背面电极和所述半导体基板的侧面直接接触地设置，

所述半导体基板的厚度W与所述半导体基板的所述侧面处的所述半导体基板的背面上的所述焊料层的高度T满足W/2＜T的关系。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，在俯视所述晶体管部的情况下，所述焊料层从所述半导体基板的所述侧面向外侧突出的突出长度X与所述焊料层的高度T满足T＜X的关系。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述续流二极管部具有延伸至所述边缘终端部为止的n型阴极层。