[发明专利]一种高发光效率的垂直结构LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710743693.7 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107507892A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 李国强;张子辰;张云鹏;郭晓萍;曾禹;黄振强 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/46 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于LED的技术领域，公开了一种高发光效率的垂直结构LED芯片及其制备方法。所述高发光效率的垂直结构LED芯片自下而上依次包括导电衬底、金属键合层、金属反射层、p型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和n型GaN层，所述n型GaN层上设有n电极，未被n电极覆盖的n型GaN层上设有ZnO纳米柱层。本发明在垂直结构LED芯片表面制备的ZnO纳米柱，可提高垂直结构LED芯片光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 效率 垂直 结构 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高发光效率的垂直结构LED芯片，其特征在于：自下而上依次包括导电衬底、金属键合层、金属反射层、p型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和n型GaN层，所述n型GaN层上设有n电极，未被n电极覆盖的n型GaN层上设有ZnO纳米柱层。
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