[发明专利]具有UV透射窗的UV可擦除存储器组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710737673.9 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109119377A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 苏婷婷;陈冠勋;罗明山 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/112 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具紫外线透射窗的紫外线可擦除存储器装置，包含：一衬底；二个P型金氧半晶体管，彼此串接在一起，设于所述衬底上；一层间介电层，覆盖所述二个P型金氧半晶体管；一第一金属间介电层，设于所述层间介电层上；一中间层，设于所述第一金属间介电层上；一紫外线透射窗，设于所述中间层内；以及一第二金属间介电层，设于所述第一金属间介电层及所述紫外线透射窗内。 | ||
| 搜索关键词： | 金属间介电层 紫外线透射窗 可擦除存储器 层间介电层 中间层 衬底 透射窗 紫外线 串接 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具紫外线透射窗的紫外线可擦除存储器装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一衬底；于所述衬底上形成串接在一起的二个金氧半晶体管；沉积一层间介电层，覆盖所述二个金氧半晶体管；于所述层间介电层上沉积一第一金属间介电层；于所述第一金属间介电层上沉积一中间层；于所述中间层内形成一紫外线透射窗；以及于所述第一金属间介电层及所述紫外线透射窗内沉积一第二金属间介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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