[发明专利]具有UV透射窗的UV可擦除存储器组件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种具紫外线透射窗的紫外线可擦除存储器装置，包含：一衬底；二个P型金氧半晶体管，彼此串接在一起，设于所述衬底上；一层间介电层，覆盖所述二个P型金氧半晶体管；一第一金属间介电层，设于所述层间介电层上；一中间层，设于所述第一金属间介电层上；一紫外线透射窗，设于所述中间层内；以及一第二金属间介电层，设于所述第一金属间介电层及所述紫外线透射窗内。

技术领域

本发明涉及一种非易失性存储单元(non-volatile memory)，更具体地说，本发明是有关于一种能够提高紫外线(UV)擦除效率的单层多晶硅(single-poly)一次编程(OTP)存储单元。

背景技术

多元化市场及应用的需求驱使嵌入式逻辑非易失性存储器(逻辑非易失性存储器)朝各种不同的功能发展。周知的逻辑非易失性存储器之一是单层多晶硅非易失性存储器或单层多晶硅一次编程(OTP)存储器技术，与互补式金氧半导体场效晶体管工艺完全兼容，广泛应用于各种芯片设计中用于数据贮存。

通常，单层多晶硅OTP存储单元包括两个串联的晶体管，其中第一个晶体管是作为一选择晶体管，第二个晶体管的栅极是作为一浮置栅极。单层多晶硅OTP存储单元通常由对紫外线(UV)透明的介电材料覆盖。

已知，将热载子(电子)注入到单层多晶硅浮动栅极中的状态被称为“编程”状态，并且在所述状态下数据得以被贮存，相反的，电子未被注入到单层多晶硅浮动栅极中称为“擦除”状态，数据在此状态下被清除。上述单层多晶硅OTP存储单元可以被UV擦除。

发明内容

本发明的一主要目的在提供具有改善的UV擦除效率的UV可擦除存储器组件。

本发明的另一个目的在提供一种制造具有UV透射窗的UV可擦除存储器组件的方法。

根据本发明一实施例，披露一种具紫外线透射窗的紫外线可擦除存储器装置的制造方法，包含：提供一衬底；于所述衬底上形成串接在一起的二个P型金氧半晶体管；沉积一层间介电层，覆盖所述二个P型金氧半晶体管；于所述层间介电层上沉积一第一金属间介电层；于所述第一金属间介电层上沉积一中间层；于所述中间层内形成一紫外线透射窗；以及于所述第一金属间介电层及所述紫外线透射窗内沉积一第二金属间介电层。

根据本发明一实施例，所述二个P型金氧半晶体管包含一选择晶体管及一浮置栅极晶体管。所述浮置栅极晶体管包含一多晶硅栅极，用以贮存电荷。所述紫外线透射窗是设于所述多晶硅栅极正上方。

根据本发明一实施例，披露一种具紫外线透射窗的紫外线可擦除存储器装置，包含：一衬底；二个P型金氧半晶体管，彼此串接在一起，设于所述衬底上；一层间介电层，覆盖所述二个P型金氧半晶体管；一第一金属间介电层，设于所述层间介电层上；一中间层，设于所述第一金属间介电层上；一紫外线透射窗，设于所述中间层内；以及一第二金属间介电层，设于所述第一金属间介电层及所述紫外线透射窗内。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文优选实施方式，并配合附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

附图提供对实施例的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部分。附图用来例示部分实施例，并用于解释其原理。在所附附图中：

图1至图3是依据本发明一实施例所绘示的一种制造UV可擦除存储器组件的方法的剖面示意图。

应该注意的是，附图仅供例示说明。为方便说明及为求清楚，部分附图的相对尺寸及比例被放大或缩小。通常，相同的附图标记在各不同实施例中表示对应或相似特征。

其中，附图标记说明如下：

1 紫外线(UV)可擦除存储器组件

10 衬底