[发明专利]一种新型量子点发光二极管及其制备方法

摘要

本发明适用于量子点发光二极管，提供了一种量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管，包括从下往上依次相邻设置的衬底、第一电极层、第一电荷传输层、量子点发光层、第二电荷传输层、第二电极层。其特征在于，所述量子点发光二极管中的电荷传输层和量子点发光层不再是平面化堆砌结构，而是引入了周期或准周期性排列的纳米凹凸结构，且其折射率沿光出射方向呈梯度变化，实现光提取功能。本发明有效的提高了量子点发光二极管的外量子效率。

主权项

一种新型量子点发光二极管，包括：衬底，设置在所述衬底上的第一电极层，设置在所述第一电极层上的第一电荷传输层，设置在所述第一电荷传输层上的量子点发光层，设置在所述量子点发光层的第二电荷传输层，设置在所述电子传输层上的第二电极层，其特征在于，所述的第一电荷传输层、量子点发光层、第二电荷传输层在一表面呈纳米凹凸结构。