[发明专利]一种新型量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种新型量子点发光二极管，包括：衬底，设置在所述衬底上的第一电极层，设置在所述第一电极层上的第一电荷传输层，设置在所述第一电荷传输层上的量子点发光层，设置在所述量子点发光层的第二电荷传输层，设置在所述电子传输层上的第二电极层，其特征在于，所述的第一电荷传输层、量子点发光层、第二电荷传输层在一表面呈纳米凹凸结构。

2.根据权利要求1所述一种新型量子点发光二极管，其特征在于，所述纳米凹凸结构呈周期或准周期性排列，且其折射率沿光出射方向呈梯度变化。

3.根据权利要求1一种新型量子点发光二极管，其特征在于，所述纳米凹凸结构周期范围不大于400nm,所述纳米凹凸结构尺寸不大于1000nm,优选为不大于800nm，所述纳米凹凸结构厚度不大于功能层厚度。

4.根据权利要求1所述一种新型量子点发光二极管，其特征在于，对于正置型量子点发光二极管，所述第一电荷传输层为空穴传输层，所述第二电荷传输层为电子传输层；对于倒置型量子点发光二极管，所述所述第一电荷传输层为电子传输层，所述第二电荷传输层为空穴传输层。

5.一种根据权利要求1所述的量子点发光二极管制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1,准备一衬底；

S2,在所述衬底上制作第一电极层；

S3,在所述第一电极层上依次沉积所述第一电荷传输层，量子点发光层，第二电荷传输层；

S4，在所述第二电荷传输层上制作第二电极层；

S5，完成量子点发光二极管的制作。

6.根据权利要求5所述量子点发光二极管制作方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

S21,对所述第一电荷传输层的一面进行热压印工艺处理，形成纳米凹凸结构，其所述第一电荷传输层的一面为第一电荷传输层与量子点发光层的接触面；

S22,对所述量子点发光层的一面进行热压印工艺处理，形成纳米凹凸结构，其所述量子点发光层的一面为量子点发光层与第二电荷传输层的接触面；

S23,对所述第二电荷传输层的一面进行热压印工艺处理，形成纳米凹凸结构，其所述第二电荷传输层的一面为第二电荷传输层与第二电极层的接触面。

7.根据权利要求5所述量子点发光二极管制作方法，其特征在于，所述热压印工艺具体包括：

a1，利用激光加工或蒸发沉积或湿法刻蚀或等离子体刻蚀中的任意一种工艺对柔性材料进行处理，形成周期或准周期性排列的纳米凹凸结构；

b2,使用柔性材料的纳米凹凸结构对在加热处理的所述第一电荷传输层或量子点发光层或第二电荷传输层进行压印，得到周期或准周期性排列且其折射率沿出射方向呈梯度变化的纳米凹凸结构。

8.根据权利要求5所述量子点发光二极管制作方法，其特征在于，步骤S3中形成所述第一电荷传输层、量子点发光层、第二电荷传输层的方法为旋涂或印刷或喷墨打印中的任意一种工艺。

9.根据权利要求5所述量子点发光二极管制作方法，其特征在于，所述量子点发光层的部分渗入至所述第一电荷传输层的纳米凹凸结构，形成与所述第一电荷传输层的纳米凹凸结构的互补结构，使得在第一电荷传输层与量子点发光层的交界面处实现光提取功能。