[发明专利]烧结体、溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201710734442.2 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107779821B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 挂野崇;梶山纯 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种烧结体、溅射靶及其制造方法，所述烧结体能够在IZO靶中有效抑制烧结体表面和内部的体积电阻率的偏差。本发明的烧结体是包含In、Zn、O的氧化物的所述烧结体，从所述烧结体的表面沿厚度方向1mm的深度位置的体积电阻率Rs与从所述烧结体的表面沿厚度方向4mm的深度位置的体积电阻率Rd之差除以所述4mm的深度位置的体积电阻率Rd的比率，即(Rs‑Rd)/Rd的绝对值以百分率表示为20％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种烧结体，是包含In、Zn、O的氧化物的烧结体，从所述烧结体的表面沿厚度方向1mm的深度位置的体积电阻率Rs与从所述烧结体的表面沿厚度方向4mm的深度位置的体积电阻率Rd之差除以所述4mm的深度位置的体积电阻率Rd的比率，即(Rs‑Rd)/Rd的绝对值以百分率表示为20％以下。
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