[发明专利]烧结体、溅射靶及其制造方法

权利要求书

1.一种烧结体，是包含In、Zn、O的氧化物的烧结体，含有7at％～20at％的Zn/(In+Zn)，从所述烧结体的表面沿厚度方向1mm的深度位置的体积电阻率Rs与从所述烧结体的表面沿厚度方向4mm的深度位置的体积电阻率Rd之差除以所述4mm的深度位置的体积电阻率Rd的比率，即(Rs-Rd)/Rd的绝对值以百分率表示为20％以下。

2.根据权利要求1所述的烧结体，其中，所述比率，即(Rs-Rd)/Rd的绝对值以百分率表示为15％以下。

3.根据权利要求1所述的烧结体，其中，所述比率，即(Rs-Rd)/Rd的绝对值以百分率表示为10％以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的烧结体，其中，含有10at％～17at％的Zn/(In+Zn)。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的烧结体，其中，自所述烧结体的表面沿厚度方向磨削1mm的面的结晶粒的大小Ds与自所述烧结体的表面沿厚度方向磨削4mm的面的结晶粒的大小Dd的差除以该磨削4mm的面的结晶粒的大小Dd的比率，即(Ds-Dd)/Dd的绝对值以百分率表示为20％以下。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的烧结体，其中，所述烧结体包含以通式In₂O₃(ZnO)_m表示的非晶质氧化物，其中3≤m≤20。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的烧结体，其中，所述烧结体还含有100wtppm以下的从Fe、Al、Si、Cu以及Pb中选择的至少一种元素，并且含有1000wtppm以下的Sn和Zr中的至少一种元素。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的烧结体，其中，平均结晶粒径为1.0μm～5.0μm。

9.根据权利要求1～3中任一项所述的烧结体，其中，相对密度为95％以上。

10.一种溅射靶，是包含In、Zn、O的氧化物的溅射靶，所述溅射靶含有7at％～20at％的Zn/(In+Zn)，从所述溅射靶的表面沿厚度方向0mm的深度位置的体积电阻率Rf与从所述溅射靶的表面沿厚度方向3mm的深度位置的体积电阻率Ra之差除以所述3mm的深度位置的体积电阻率Ra的比率，即(Rf-Ra)/Ra的绝对值以百分率表示为20％以下。

11.根据权利要求10所述的溅射靶，其中，所述比率，即(Rf-Ra)/Ra的绝对值以百分率表示为15％以下。

12.根据权利要求10所述的溅射靶，其中，所述比率，即(Rf-Ra)/Ra的绝对值以百分率表示为10％以下。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的溅射靶，其中，所述溅射靶含有10at％～17at％的Zn/(In+Zn)。

14.根据权利要求10～12中任一项所述的溅射靶，其中，所述溅射靶包含以通式In₂O₃(ZnO)_m表示的非晶质氧化物，其中3≤m≤20。

15.根据权利要求10～12中任一项所述的溅射靶，其中，所述溅射靶还含有100wtppm以下的从Fe、Al、Si、Cu以及Pb中选择的至少一种元素，并且含有1000wtppm以下的Sn和Zr中的至少一种元素。

16.根据权利要求10～12中任一项所述的溅射靶，其中，平均结晶粒径为1.0μm～5.0μm。

17.根据权利要求10～12中任一项所述的溅射靶，其中，相对密度为95％以上。