[发明专利]一种霍山石斛的育苗方法

摘要

本发明公开了一种霍山石斛的育苗方法，其特征在于，包括以下方面（1）种子处理，将霍山石斛种子经杀菌后与营养基质混合，埋藏至沙池内2‑3个月；（2）种子催芽，对种子进行活化处理，并使用发酵液恒温浸泡催芽；（3）温室播种，温室种植区土壤分营养基质层、植物肥料层和黄土进行铺设，并对土壤使用发酵液杀菌处理；（4）温室调节，按照播种1个月和1个月之后调节温室内光照强度和二氧化碳浓度。本发明方法所培育的霍山石斛，与传统方法比较，发芽率提高28.83%，多糖含量提高6.66%，总生物碱含量提高0.025%，具有生长快、药物功能性强的特点。

主权项

一种霍山石斛的育苗方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）种子处理：将霍山石斛种子进行杀菌处理，低温烘干后与营养基质混合，装入麻质袋中埋藏在水分含量在7%‑9%的细沙池中放置2‑3个月，埋藏深度为12‑15cm，上部使用黑色双层薄膜覆盖，并在沙池两侧各留1个散热孔，制得埋藏种子；（2）种子催芽：将埋藏种子进行活化培养，再浸入发酵液中进行超声波振荡10‑15min，然后放入22‑25℃恒温箱中保存30‑34h，制得催芽种子；（3）温室播种：将温室栽种土壤进行整理，分三层铺设，其中下层营养基质层2‑3cm，中层植物肥料层0.5‑1cm，上部黄土层厚度8‑12cm，并对土壤喷洒发酵液，使用薄膜覆盖后将温度升至42‑47℃处理20‑24h，然后将催芽种子进行播种，播种深度为3‑4cm，并每3‑4天使用发酵液喷洒1次；（4）温室调节：对温室内光照强度及二氧化碳含量进行调节，播种后1个月，光强强度为1800‑2300lux，光照时间3‑4h/天，二氧化碳体积浓度0.05%‑0.06%,播种1个月之后，光照强度为2700‑3200lux，光照时间6‑8h/天，二氧化碳体积浓度为0.08%‑0.1%。