[发明专利]一种霍山石斛的育苗方法

权利要求书

1.一种霍山石斛的育苗方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）种子处理：将霍山石斛种子进行杀菌处理，低温烘干后与营养基质混合，装入麻质袋中埋藏在水分含量在7%-9%的细沙池中放置2-3个月，埋藏深度为12-15cm，上部使用黑色双层薄膜覆盖，并在沙池两侧各留1个散热孔，制得埋藏种子；

（2）种子催芽：将埋藏种子进行活化培养，再浸入发酵液中进行超声波振荡10-15min，然后放入22-25℃恒温箱中保存30-34h，制得催芽种子；

（3）温室播种：将温室栽种土壤进行整理，分三层铺设，其中下层营养基质层2-3cm，中层植物肥料层0.5-1cm，上部黄土层厚度8-12cm，并对土壤喷洒发酵液，使用薄膜覆盖后将温度升至42-47℃处理20-24h，然后将催芽种子进行播种，播种深度为3-4cm，并每3-4天使用发酵液喷洒1次；

（4）温室调节：对温室内光照强度及二氧化碳含量进行调节，播种后1个月，光强强度为1800-2300lux，光照时间3-4h/天，二氧化碳体积浓度0.05%-0.06%,播种1个月之后，光照强度为2700-3200lux，光照时间6-8h/天，二氧化碳体积浓度为0.08%-0.1%。

2.如权利要求1所述霍山石斛的育苗方法，其特征在于，步骤（1）所述的杀菌处理，其杀菌液为50ppm次氯酸钠，浸泡时间7-9min。

3.如权利要求1所述霍山石斛的育苗方法，其特征在于，步骤（2）所述的营养基质，其配制方法为：

按照质量计份称取玉米粉21-24份、花生粕15-18份、草木灰10-14份、过磷酸钙矿石粉6-8份、石斛渣7-8份、铁矿石粉3-5份、竹叶粉5-8份、猪肝粉1-3份，将原料粉碎混合后在1-2MPa磁化器中处理24-30min，再加入其质量4%-5%的混合菌剂在23-27℃发酵罐中发酵4-5天，制得营养基质。

4.如权利要求1所述霍山石斛的育苗方法，其特征在于，步骤（2）所述的活化培养，其温度为16-19℃，时间10-14h。

5.如权利要求1所述霍山石斛的育苗方法，其特征在于，步骤（2）所述的发酵液，其配制方法为：

按照质量计份称取松针粉12-15份、竹笋粉8-9份、甘蔗渣7-9份、鲜柠檬5-6份、石斛渣6-7份、铁线蕨4-6份、梨渣4-5份、白花蛇舌草3-5份、草豆蔻1-3份，将原料经干燥、粉碎后混合，加入其质量7-9倍的水和其质量5%-6%的EM菌剂，经发酵、过滤后浓缩至原体积的1/5，制得发酵液；将过滤滤渣干燥后制得植物肥料。