[发明专利]一种3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法

摘要

本发明提供了一种3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法，所述形成方法至少省去第二层多晶硅沉积前的预清洗步骤；优选省去第一层多晶硅回刻以及沉积氧化物保护层的步骤。由于没有第一层多晶硅，使得第二层多晶硅在沟道侧壁、在ONO叠层拐角和硅外延层(SEG)上的沉积厚度一致性更好，特别是在ONO叠层拐角处较现有技术提高了厚度，并且长度缩短，从而降低了此处过薄和断裂导致的器件开启电流(I_on)过小或为0的风险；从而提高器件的性能并提高产品良率。

主权项

1.一种3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法，其特征在于，包括以下步骤：沉积栅极绝缘堆叠结构，具体为，在O/N堆叠结构中的沟道侧壁及硅外延层的表面上沉积栅极绝缘堆叠结构；沉积第一层多晶硅，具体为，在所述栅极绝缘堆叠结构表面进行第一次多晶硅沉积以形成第一层多晶硅层；第一层多晶硅回刻；沉积氧化物保护层；刻蚀栅极绝缘堆叠结构，具体为，刻蚀所述栅极绝缘堆叠结构的底部通至硅外延层并形成一定深度的沟槽；去胶机处理及湿法剥离，具体为采用去胶机处理和湿法剥离来去除氧化物保护层；预清洗，以去除第一层多晶硅表面的自然氧化层；控制等待时间(Q‑time)为小于等于2小时；去除第一层多晶硅，具体为，采用具有高选择性的干法刻蚀去除第一层多晶硅并停留在栅极绝缘堆叠结构层上；沉积第二层多晶硅层，具体为，在所述栅极绝缘堆叠结构表面和硅外延层的沟槽表面进行第二次多晶硅沉积以形成多晶硅连接层，从而将硅外延层与漏极相连通，并进行退火处理；回刻第二层多晶硅层。