[发明专利]一种3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法

权利要求书

1.一种3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

沉积栅极绝缘堆叠结构，具体为，在O/N堆叠结构中的沟道侧壁及硅外延层的表面上沉积栅极绝缘堆叠结构；

沉积第一层多晶硅，具体为，在所述栅极绝缘堆叠结构表面进行第一次多晶硅沉积以形成第一层多晶硅层；

第一层多晶硅回刻；

沉积氧化物保护层；

刻蚀栅极绝缘堆叠结构，具体为，刻蚀所述栅极绝缘堆叠结构的底部通至硅外延层并形成一定深度的沟槽；

去胶机处理及湿法剥离，具体为采用去胶机处理和湿法剥离来去除氧化物保护层；

预清洗，以去除第一层多晶硅表面的自然氧化层；

控制等待时间(Q-time)为小于等于2小时；

去除第一层多晶硅，具体为，采用具有高选择性的干法刻蚀去除第一层多晶硅并停留在栅极绝缘堆叠结构层上；

沉积第二层多晶硅层，具体为，在所述栅极绝缘堆叠结构表面和硅外延层的沟槽表面进行第二次多晶硅沉积以形成多晶硅连接层，从而将硅外延层与漏极相连通，并进行退火处理；

回刻第二层多晶硅层。

2.如权利要求1所述的3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法，其特征在于，不进行第一层多晶硅回刻和沉积氧化物保护层的步骤；并且相应的不进行去胶机处理及湿法剥离。

3.如权利要求1所述的3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法，其特征在于，回刻第二层多晶硅后还包括采用氧化物填充沟道孔的步骤。

4.如权利要求3所述的3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法，其特征在于，所述氧化物填充沟道孔采用原子层沉积法(ALD)。

5.如权利要求1所述的3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法，其特征在于，所述预清洗为采用低温原位氢气(H₂)烘焙以去除第一层多晶硅表面的自然氧化层。

6.如权利要求1所述的3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法，其特征在于，所述高选择性的干法刻蚀为采用HCl进行干法刻蚀。

7.如权利要求1所述的3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法，其特征在于，所述栅极绝缘堆叠结构为ONO的堆叠结构；所述ONO的堆叠结构为阻挡层/存储层/隧穿层。

8.如权利要求1所述的3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法，其特征在于，所述刻蚀栅极绝缘堆叠结构，采用各向异性的刻蚀工艺，垂直向下对所述栅极绝缘堆叠结构的底部进行刻蚀。

9.如权利要求1所述的3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法，其特征在于，所述刻蚀栅极绝缘堆叠结构的步骤为采用碳氟基等离子干法刻蚀或反应离子刻蚀(RIE)。

10.一种3D NAND闪存结构，其是由权利要求1-9任意一项所述3D NAND闪存沟道孔多晶硅连接层形成方法制备得到。