[发明专利]包含遮光层的薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710717954.8 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN107611032A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 张盛东;梁婷;周晓梁;卢慧玲;张晓东;王刚 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京天驰君泰律师事务所11592 | 代理人： | 沈超 |
| 地址： | 518071 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜晶体管，包括衬底；形成在所述衬底上的经图形化的遮光层，其中所述遮光层采用绝缘非金属遮光材料；形成在所述遮光层以上的有源层，所述有源层包括所述晶体管的沟道、源区和漏区；形成在所述有源层上的栅介质层和形成在所述栅介质层上的栅电极；以及形成在所述有源层和所述栅电极上的钝化层。本申请还提供了制备这种薄膜晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 遮光 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底上的经图形化的遮光层，其中所述遮光层采用绝缘非金属遮光材料；形成在所述遮光层以上的有源层，所述有源层包括所述晶体管的沟道、源区和漏区；形成在所述有源层上的栅介质层和形成在所述栅介质层上的栅电极；以及形成在所述有源层和所述栅电极上的钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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