[发明专利]包含遮光层的薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的经图形化的遮光层，其中所述遮光层采用绝缘非金属遮光材料；

形成在所述遮光层以上的有源层，所述有源层包括所述晶体管的沟道、源区和漏区；

形成在所述有源层上的栅介质层和形成在所述栅介质层上的栅电极；以及

形成在所述有源层和所述栅电极上的钝化层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括形成在所述遮光层和所述有源层之间的绝缘的隔离层。

3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中所述绝缘非金属材料包括非氢化非晶硅、有色一元/复合金属氧化物和/或黑色有机材料。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述非氢化非晶硅材料的厚度为50nm～200nm，所述有色一元/复合金属氧化物材料的厚度为50nm～200nm，所述黑色有机材料的厚度为0.5～3μm。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述隔离层包括氧化硅、氮化硅、氧化铝和/或聚酰亚胺。

6.一种薄膜晶体管，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的栅电极；

形成在所述栅电极和所述衬底上的栅介质层；

形成在所述栅介质层上的有源层，所述有源层包括所述晶体管的沟道、源区和漏区；

形成在所述有源层上的源/漏接触电极；

形成在所述源/漏接触电极和所述有源层上的钝化层；以及

形成在所述钝化层上的经图形化的遮光层，其中所述遮光层采用绝缘非金属遮光材料。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其中所述绝缘非金属遮光材料包括非氢化非晶硅、有色一元/复合金属氧化物和/或黑色有机材料。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述非氢化非晶硅材料的厚度为50nm～200nm，有色一元/复合金属氧化物材料的厚度为50nm～200nm，所述黑色有机材料的厚度为0.5～3μm。

9.一种制备薄膜晶体管的方法，包括：

在衬底上形成遮光层并对其进行图形化，其中所述遮光层采用绝缘非金属遮光材料；

在所述遮光层以上形成有源层；

在所述有源层上依次淀积栅介质层和栅电极；

在所述栅电极两侧的所述有源层中形成源区和漏区；以及

在所述有源层和所述栅电极上形成钝化层。

10.如权利要求9所述的方法，还包括在所述遮光层和所述有源层之间形成绝缘的隔离层。

11.一种制备薄膜晶体管的方法，包括：

在衬底上形成栅电极层并对其进行图形化以形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成有源层；

在所述有源层上形成源/漏接触电极；

在所述源/漏接触电极和所述有源层上形成钝化层；以及

在所述钝化层上形成遮光层并对其图形化，其中所述遮光层采用绝缘非金属遮光材料。