[发明专利]一种低导通电阻的PMOS器件在审
| 申请号： | 201710716442.X | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN107452807A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 任敏;罗蕾;谢驰;李佳驹;李泽宏;高巍;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低导通电阻的PMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明包括自上而下依次设置的金属化源极、P型漂移区、P+型衬底和金属化漏极；其中P型漂移区中具有N型体区和深槽结构，N型体区中具有P+源区和N+接触区，深槽结构中具有第一栅电极、栅介质层、第二栅电极、第二介质层、应变层和第三介质层；第一栅电极与沟槽内壁之间由上至下顺次设有栅介质层和第三介质层，第二栅电极与沟槽内壁之间由外至内顺次设有与第三介质层相接触的应变层和第二介质层。本发明通过引入应变层和第二栅电极，进而使得器件正向导通时在应变层中形成空穴积累层而在反向阻断时产生辅助耗尽漂移区的横向电场，从而实现降低器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 pmos 器件 | ||
【主权项】：
一种低导通电阻的PMOS器件，包括：P+型衬底(2)，在所述P+型衬底(2)的背面具有金属化漏极(1)，在所述P+型衬底(2)的正面具有P型漂移区(3)，在P型漂移区(3)的表面下方具有N型体区(4)，所述N型体区(4)中具有沟槽(7)，所述沟槽(7)穿过N型体区(4)且底端延伸至P型漂移区(3)，沟槽(7)两侧的N型体区(4)的表面下方具有相邻的P+源区(5)和N+接触区(6)，在P+源区(5)和N+接触区(6)的表面上连接有金属化源极(15)；其特征在于，所述沟槽(7)中具有第一栅电极(8)、栅介质层(9)、第二栅电极(10)、第二介质层(11)、应变层(12)和第三介质层(13)；第一栅电极(8)通过第一介质层(14)与金属化源极(15)相隔离，第一栅电极(8)顶部外围或者两侧的沟槽内壁设有栅介质层(9)，第一栅电极(8)底部的外围或者两侧沟槽内壁设有与栅介质层(9)相接触的第三介质层(13)，第二栅电极(10)位于第一栅电极(8)的正下方并与之相接触，第二栅电极(10)外围或者两侧的沟槽内壁由外至内顺次设有应变层(12)和第二介质层(11)，所述应变层(12)的材料具有压缩应变特性，应变层(12)的厚度小于其临界厚度；第三介质层(13)的下表面或者部分下表面与应变层(12)和第二介质层(11)的上表面接触。
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