[发明专利]一种适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710713407.2 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN107634030B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 陆旭兵;赵凯;刘俊明 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 潘雯瑛 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构及其制作方法，该金属互连结构的制作方法包括以下步骤：S1：制备柔性基底的下层金属连线；S2：在前步结构上沉积介质层；S3：在前步结构上制备上层金属连线；S4：制作过孔，连接上、下层金属连线：采用超声波金属焊接机，选择需要的区域施加机械振动，使作用区域中间介质层破碎，并使上、下层金属原子被激活，在界面处相互渗透，最终形成上、下层金属连线的固态连接，完成过孔，得到金属互连结构。本发明所述制作方法，过孔的制备成本低廉、工艺简单、适用于柔性有机器件的集成；同时超声波发生器易于电气控制，可制作出多种复杂的金属互连结构，且过孔区域金属连线间具有高的连接强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 柔性 otft 集成电路 金属 互连 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：制备柔性基底的下层金属连线；S2：在前步结构上沉积介质层；S3：在前步结构上制备上层金属连线；S4：制作过孔，连接上、下层金属连线：采用超声波金属焊接机，选择需要的区域施加机械振动，使作用区域中间介质层破碎，并使上、下层金属原子被激活，在界面处相互渗透，最终形成上、下层金属连线的固态连接，完成过孔，得到金属互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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