[发明专利]一种适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构及其制作方法

权利要求书

1.一种适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：制备柔性基底的下层金属连线；

S2：在前步结构上沉积介质层；

S3：在前步结构上制备上层金属连线；

重复步骤S2～S3；

S4：制作过孔，连接上、下层金属连线：采用超声波金属焊接机，选择需要的区域施加机械振动，使作用区域中间介质层破碎，并使上、下层金属原子被激活，在界面处相互渗透，最终形成上、下层金属连线的固态连接，完成过孔，得到金属互连结构。

2.根据权利要求1所述的适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：步骤S1中，下层金属连线采用以下任一种导电金属物质：金、银、铜、镍、铝、表面包覆铬的金；采用蒸镀、打印、溅射任一种低温制备方法制备而成。

3.根据权利要求1所述的适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：步骤S2中，介质层采用以下任一种绝缘介质材料：SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、La₂O₃、ZrO₂、有机聚合物；采用CVD、ALD、蒸镀、溅射、溶液法打印任一种低温制备方法制备而成。

4.根据权利要求1所述的适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：步骤S3中，上层金属连线采用以下任一种导电金属物质：金、银、铜、镍、铝、表面包覆铬的金；采用蒸镀、打印、溅射任一种低温制备方法制备。

5.根据权利要求1所述的适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：步骤S1之前还包括以下步骤：选取柔性PET衬底，首先裁剪成1.5cm×1.5cm的正方形，通过超声对其进行清洗，分别放进丙酮、异丙醇、去离子水、无水乙醇，使其去除表面有机物等杂质；之后在烘箱中烘干，再经UV/O₃活化处理后保存备用。

6.一种适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：制备柔性基底的下层金属连线；

S2：在前步结构上沉积介质层；

S3：在前步结构上制备上层金属连线；

S4：制作部分过孔，连接部分上、下层金属连线：采用超声波金属焊接机，选择需要的区域施加机械振动，使作用区域中间介质层破碎，并使上、下层金属原子被激活，在界面处相互渗透，最终形成上、下层金属连线的固态连接，完成过孔，得到金属互连结构；

S5：重复步骤S2～S4，在最后一次制作过孔步骤时，制作过孔群，连接不同区域的上、下金属层连线，得到多层金属互连结构。

7.根据权利要求6所述的适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：步骤S1中，下层金属连线采用以下任一种导电金属物质：金、银、铜、镍、铝、表面包覆铬的金；采用蒸镀、打印、溅射任一种低温制备方法制备而成。

8.根据权利要求6所述的适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：步骤S2中，介质层采用以下任一种绝缘介质材料：SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、La₂O₃、ZrO₂、有机聚合物；采用CVD、ALD、蒸镀、溅射、溶液法打印任一种低温制备方法制备而成。

9.根据权利要求6所述的适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：步骤S3中，上层金属连线采用以下任一种导电金属物质：金、银、铜、镍、铝、表面包覆铬的金；采用蒸镀、打印、溅射任一种低温制备方法制备。

10.根据权利要求6所述的适用于柔性OTFT集成电路的金属互连结构的制作方法，其特征在于：步骤S1之前还包括以下步骤：选取柔性PET衬底，首先裁剪成1.5cm×1.5cm的正方形，通过超声对其进行清洗，分别放进丙酮、异丙醇、去离子水、无水乙醇，使其去除表面有机物等杂质；之后在烘箱中烘干，再经UV/O₃活化处理后保存备用。