[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的实施方式提供一种获得构成柱状部的膜中的接头部正下方部分的较高可靠性的半导体装置及其制造方法。在实施方式的半导体装置中，第2柱状部CL2的中心轴C2相对于第1柱状部CL1的中心轴C1向沿基底层10的表面的第1方向Y1偏移。第1柱状部CL1的上端的从中心轴C1起沿第1方向Y1的宽度W1大于第1柱状部CL1的上端的从中心轴C1起沿第2方向Y2的宽度W2。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于包含：基底层；第1积层部，包含设置于所述基底层上且隔着第1绝缘体而积层的多个第1电极层；第1柱状部，包含在所述第1积层部内于所述第1积层部的积层方向上延伸的第1半导体主体、及设置于所述第1半导体主体与所述第1电极层之间的第1电荷储存部；第2积层部，包含设置在所述第1积层部上且隔着第2绝缘体而积层的多个第2电极层；第2柱状部，包含在所述第2积层部内于所述第2积层部的积层方向上延伸的第2半导体主体、及设置于所述第2半导体主体与所述第2电极层之间的第2电荷储存部；中间层，设置于所述第1积层部与所述第2积层部之间；及接头部，设置于所述中间层中的所述第1柱状部与所述第2柱状部之间，具有比所述第1柱状部的直径及所述第2柱状部的直径更大的直径，且包含与所述第1半导体主体及所述第2半导体主体连续的中间半导体主体；且所述第2柱状部的中心轴相对于所述第1柱状部的中心轴向沿所述基底层的表面的第1方向偏移，且所述第1柱状部的上端的从所述第1柱状部的所述中心轴起沿所述第1方向的宽度大于所述第1柱状部的所述上端的从所述第1柱状部的所述中心轴起沿与所述第1方向相反的第2方向的宽度。