[发明专利]一种栅压控制晶闸管器件有效
| 申请号： | 201710706917.7 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107331704B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 任敏;林育赐;何文静;苏志恒;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L29/749;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅压控制晶闸管器件，属于功率器件技术领域。本发明自下而上包括依次层叠设置的金属阳极、第一导电类型半导体掺杂衬底，第二导电类型半导体掺杂外延层和金属阴极；所述第二导电类型半导体掺杂外延层顶层中部设置有栅极结构，栅极结构两侧设置有第一导电类型半导体掺杂阱区，所述第一导电类型半导体掺杂阱区表面下方具有第二导电类型半导体掺杂阱区，所述第二导电类型半导体掺杂阱区表面下方具有第一导电类型半导体重掺杂区；所述第一导电类型半导体掺杂阱区的掺杂浓度从靠近多晶硅栅电极到远离多晶硅栅电极的方向逐渐减小。本发明提升了栅压控制晶闸管的抗浪涌能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 晶闸管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种栅压控制晶闸管，包括自下而上依次层叠设置的金属阳极(1)、第一导电类型半导体掺杂衬底(2)、第二导电类型半导体掺杂外延层(3)和金属阴极(10)；第二导电类型半导体掺杂外延层(3)顶层两端分别具有第一导电类型半导体掺杂阱区(7)，所述第一导电类型半导体掺杂阱区(7)表面上方具有第二导电类型半导体掺杂阱区(8)，所述第二导电类型半导体掺杂阱区(8)表面上方具有第一导电类型半导体重掺杂区(6)；第二导电类型半导体掺杂外延层(3)顶层中部具有栅极结构，所述栅极结构包括多晶硅栅电极(4)、栅介质层(5)和绝缘介质层(9)；所述多晶硅栅电极(4)与其两侧的第一导电类型半导体掺杂阱区(7)、第二导电类型半导体掺杂阱区(8)和第一导电类型半导体重掺杂区(6)及其底侧的第二导电类型半导体掺杂外延层(3)之间隔着栅介质层(5)；所述多晶硅栅电极(4)与其顶侧的金属阴极(10)之间隔着绝缘介质层(9)；其特征在于：所述第一导电类型半导体掺杂阱区(7)的掺杂浓度从靠近多晶硅栅电极(4)到远离多晶硅栅电极(4)的方向逐渐减小。
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