[发明专利]一种栅压控制晶闸管器件

权利要求书

1.一种栅压控制晶闸管，包括自下而上依次层叠设置的金属阳极(1)、第一导电类型半导体掺杂衬底(2)、第二导电类型半导体掺杂外延层(3)和金属阴极(10)；第二导电类型半导体掺杂外延层(3)顶层两端分别具有第一导电类型半导体掺杂阱区(7)，所述第一导电类型半导体掺杂阱区(7)表面上方具有第二导电类型半导体掺杂阱区(8)，所述第二导电类型半导体掺杂阱区(8)表面上方具有第一导电类型半导体重掺杂区(6)；第二导电类型半导体掺杂外延层(3)顶层中部具有栅极结构，所述栅极结构包括多晶硅栅电极(4)、栅介质层(5)和绝缘介质层(9)；所述多晶硅栅电极(4)与其两侧的第一导电类型半导体掺杂阱区(7)、第二导电类型半导体掺杂阱区(8)和第一导电类型半导体重掺杂区(6)及其底侧的第二导电类型半导体掺杂外延层(3)之间隔着栅介质层(5)；所述多晶硅栅电极(4)与其顶侧的金属阴极(10)之间隔着绝缘介质层(9)；其特征在于：所述第一导电类型半导体掺杂阱区(7)的掺杂浓度从靠近多晶硅栅电极(4)到远离多晶硅栅电极(4)的方向逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的一种栅压控制晶闸管，其特征在于，第一导电类型半导体掺杂阱区(7)的掺杂方式为渐变掺杂。

3.根据权利要求1所述的一种栅压控制晶闸管，其特征在于，第一导电类型半导体掺杂阱区(7)中具有若干个子区域，若干个子区域的掺杂方式为均匀掺杂。

4.根据权利要求2或3所述的一种栅压控制晶闸管，其特征在于，第一导电类型半导体为P型半导体，第二导电类型半导体为N型半导体。

5.根据权利要求2或3所述的一种栅压控制晶闸管，其特征在于，第一导电类型半导体为N型半导体，第二导电类型半导体为P型半导体。

6.根据权利要求1所述的一种栅压控制晶闸管，其特征在于，第一导电类型半导体或者所述第二导电类型半导体的材料为体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或者锗硅复合材料。