[发明专利]半导体结构及虚拟图案布局的设计方法有效
申请号: | 201710706341.4 | 申请日: | 2017-08-17 |
公开(公告)号: | CN109411465B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 卢瑞发;林建男;叶璟桦 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种半导体结构及虚拟图案布局的设计方法,该半导体结构包括基底、多个虚拟导电结构与多个电阻元件。基底包括电阻区,且具有位于电阻区中的多个隔离结构与多个虚拟支撑图案。每个隔离结构位于相邻两个虚拟支撑图案之间。每个虚拟导电结构设置于每个隔离结构上且与两侧的虚拟支撑图案等距。电阻元件设置于虚拟导电结构上方且对准虚拟导电结构。该半导体结构可防止低图案密度区中的虚拟导电结构与密集区中的导电结构产生桥接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 虚拟 图案 布局 设计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:基底,包括电阻区,且具有位于所述电阻区中的多个隔离结构与多个虚拟支撑图案,其中每个隔离结构位于相邻两个虚拟支撑图案之间;多个虚拟导电结构,其中每个虚拟导电结构设置于每个隔离结构上且与两侧的所述多个虚拟支撑图案等距;以及多个电阻元件,设置于所述多个虚拟导电结构上方且对准所述多个虚拟导电结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司,未经联华电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710706341.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的