[发明专利]一种抑制SiCMOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置在审
| 申请号： | 201710703079.8 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107342756A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李辉;黄樟坚;廖兴林;谢翔杰;王坤;姚然;胡姚刚;邓吉利;白鹏飞;何蓓 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置，属于SiC驱动技术领域。该装置包含主驱动电路及无源辅助电路，主驱动电路部分由DC‑DC变换器单元、光耦隔离芯片单元、驱动芯片单元、驱动电阻单元构成；无源辅助电路部分由正向峰值电压抑制单元和负向峰值电压抑制单元构成。本发明提出了一种在传统驱动电路的基础上，增加三极管串联电容的新型辅助电路改进驱动方法。通过对主驱动电路和无源辅助电路参数的合理设计，实现抑制桥臂串扰的同时缩短开关延时时间，减小开关损耗，降低控制复杂程度的目标。本发明提供的装置，提高了SiC MOSFET桥式变换器工作可靠性与效率，降低了驱动控制成本与复杂程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 sicmosfet 桥臂串扰 进门 驱动 装置 | ||
【主权项】：
一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置，其特征在于：包含主驱动电路和无源辅助电路，所述主驱动电路与所述SiC MOSFET器件连接；所述无源辅助电路与所述主驱动电路连接；所述主驱动电路的数量为2，用于实现主电路上下桥臂中所述SiC MOSFET器件的分断的功能，所述无源辅助电路的数量为2，用于抑制驱动所述主电路上下桥臂中所述SiC MOSFET器件过程中产生的桥臂串扰。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学，未经重庆大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710703079.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
