[发明专利]一种抑制SiCMOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置

权利要求书

1.一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置，其特征在于：包含主驱动电路和无源辅助电路，所述主驱动电路与所述SiC MOSFET器件连接；所述无源辅助电路与所述主驱动电路连接；所述主驱动电路的数量为2，用于实现主电路上下桥臂中所述SiC MOSFET器件的分断的功能，所述无源辅助电路的数量为2，用于抑制驱动所述主电路上下桥臂中所述SiC MOSFET器件过程中产生的桥臂串扰。

2.根据权利要求1所述的一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置，其特征在于：所述主驱动电路具体包括DC-DC变换器单元，光耦隔离芯片单元，驱动芯片单元，驱动电阻单元；所述DC-DC变换器单元包括RP12-09D变换器与RP12-05S变换器，所述RP12-09D变换器的负极输出端与所述RP12-05S变换器的正极输出端连接，所述RP12-05S变换器的负极输出端还与所述无源辅助电路连接，输入电源经过所述DC-DC变换器单元为所述主驱动电路供电；所述光耦隔离芯片单元用于实现控制信号与驱动信号的隔离，所述光耦隔离芯片单元还包含用于接收控制信号的输入端；所述驱动芯片单元的输出端与驱动电阻单元的一端连接，所述驱动芯片单元用于输出所述SiC MOSFET器件的驱动电压和驱动电流；所述驱动电阻单元的另一端与所述SiC MOSFET器件门极连接，所述驱动电阻单元用于调节所述SiC MOSFET器件的开关速度。

3.根据权利要求2所述的一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置，其特征在于：所述无源辅助电路由正向峰值电压抑制单元和负向峰值电压抑制单元组成，所述无源辅助电路分为上桥臂无源辅助电路和下桥臂无源辅助电路，分别与所述上下桥臂的主驱动电路连接；

所述正向峰值电压抑制单元包含NPN三极管、二极管、辅助电容Ⅰ和辅助电阻Ⅰ，所述NPN三极管的基极与所述辅助电阻Ⅰ的一端连接，所述辅助电阻Ⅰ的另一端与所述DC-DC变换器单元的RP12-05S变换器负极输出端连接，所述NPN三极管的集电极与所述辅助电容Ⅰ的一端连接，所述辅助电容Ⅰ的另一端与所述DC-DC变换器单元的RP12-05S变换器正极输出端连接，所述NPN三极管的发射极与所述二极管的正极连接；

所述负向峰值电压抑制单元包含PNP三极管，辅助电容Ⅱ，辅助电阻Ⅱ，所述辅助电阻Ⅱ的一端与所述驱动芯片单元的输出端连接，另一端与所述PNP三极管的基极连接，所述PNP三极管的集电极与所述辅助电容Ⅱ的一端连接，所述辅助电容Ⅱ的另一端与所述DC-DC变换器单元的RP12-05S变换器正极输出端连接；所述PNP三极管的发射极与所述二极管的负极连接之后连接至所述SiC MOSFET器件门极；

所述正向峰值电压抑制单元，用于抑制栅极振荡的正向电压峰值；

所述负向峰值电压抑制单元，用于抑制栅极振荡的负向电压峰值。