[发明专利]薄膜电池工艺设备的温度测试方法及系统在审
| 申请号： | 201710702555.4 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107424947A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张孟湜 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18;G01K7/02 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 周放,姜溯洲 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜电池工艺设备的温度测试方法及系统，该方法包括步骤S1、使测试装置依次进入工艺设备的进片腔、加热腔、工艺腔、冷却腔和出片腔，并依次测试并同时存储加热腔、工艺腔和冷却腔中各个加热区的当前温度；步骤S2、将当前温度与预设温度进行比对，根据比对结果调整加热腔、工艺腔和冷却腔中的各个加热区的加热器的加热温度。本发明提供的薄膜电池工艺设备的温度测试方法及系统通过测试装置来测试热腔、工艺腔和冷却腔中各个加热区的当前温度，将当前温度存储在存储装置中，并调整加热器的加热温度，使当前温度升高或降低，提高了薄膜电池的加工质量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电池 工艺设备 温度 测试 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种薄膜电池工艺设备的温度测试方法，其特征在于，包括：步骤S1、使测试装置依次进入工艺设备的进片腔、加热腔、工艺腔、冷却腔和出片腔，依次测试并同时存储所述加热腔、工艺腔和冷却腔中各个加热区的当前温度；步骤S2、将当前温度与预设温度进行比对，根据比对结果调整所述加热腔、工艺腔和冷却腔中的各个加热区的加热器的加热温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
