[发明专利]薄膜电池工艺设备的温度测试方法及系统在审
申请号: | 201710702555.4 | 申请日: | 2017-08-16 |
公开(公告)号: | CN107424947A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 张孟湜 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;G01K7/02 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人: | 周放,姜溯洲 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 电池 工艺设备 温度 测试 方法 系统 | ||
1.一种薄膜电池工艺设备的温度测试方法,其特征在于,包括:
步骤S1、使测试装置依次进入工艺设备的进片腔、加热腔、工艺腔、冷却腔和出片腔,依次测试并同时存储所述加热腔、工艺腔和冷却腔中各个加热区的当前温度;
步骤S2、将当前温度与预设温度进行比对,根据比对结果调整所述加热腔、工艺腔和冷却腔中的各个加热区的加热器的加热温度。
2.根据权利要求1所述的温度测试方法,其特征在于,步骤S1具体包括:
步骤S11、以第一预设速度将测试装置输送至所述进片腔;
步骤S12、以第二预设速度将测试装置输送至所述加热腔,测试并同时存储所述加热腔中各加热区的当前温度;
步骤S13、检测所述加热腔内的第一工艺参数,如果所述第一工艺参数达到预定值,则以第三预设速度将测试装置输送至所述工艺腔,测试并同时存储所述工艺腔中各加热区的当前温度;所述第一工艺参数包括所述加热腔内气体的压力、温度和气流量。
3.根据权利要求2所述的温度测试方法,其特征在于,步骤S1还包括:
步骤S14、检测所述工艺腔内的第二工艺参数,如果所述第二工艺参数达到预定值,则以第四预设速度将测试装置输送至所述冷却腔,测试并同时存储所述冷却腔中各加热区的当前温度;所述第二工艺参数包括所述工艺腔内气体的压力、温度和气流量。
4.根据权利要求3所述的温度测试方法,其特征在于,步骤S1还包括:
步骤S15、检测所述冷却腔内的第三工艺参数,如果所述第三工艺参数达到预定值,则以第五预设速度将测试装置输送至所述出片腔;所述第三工艺参数包括所述冷却腔内气体的压力、温度和气流量。
5.根据权利要求1-4任一项所述的温度测试方法,其特征在于,步骤S2之后,所述测试方法还包括:
步骤S3、检测加热器的温度,如果所述加热器的温度超过或低于限定值,则断电报警。
6.一种薄膜电池工艺设备的温度测试系统,其特征在于,包括测试装置、存储装置和控制装置;
所述测试装置用于依次进入工艺设备的进片腔、加热腔、工艺腔、冷却腔和出片腔,并依次测试所述加热腔、工艺腔和冷却腔中各个加热区的当前温度;
所述存储装置用于在所述测试装置进行温度测试的同时将当前温度进行存储;
所述控制装置用于将当前温度与预设温度进行比对,根据比对结果调整所述加热腔、工艺腔和冷却腔中的各个加热区的加热器的加热温度。
7.根据权利要求6所述的温度测试系统,其特征在于,还包括输送装置,用于输送所述测试装置。
8.根据权利要求7所述的温度测试系统,其特征在于,还包括多个传感器,所述传感器用于检测所述加热腔的第一工艺参数、所述工艺腔的第二工艺参数和所述冷却腔的第三工艺参数。
9.根据权利要求6-8任一项所述的温度测试系统,其特征在于,所述测试装置包括测试板和热电偶,所述测试板的形状和尺寸与待加工的电池基板的形状和尺寸相同,所述热电偶设置在所述测试板上。
10.根据权利要求9所述的温度测试系统,其特征在于,所述热电偶的数量是多个,多个热电偶分布在所述测试板上的位置对应于各个腔室的各个加热区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于君泰创新(北京)科技有限公司,未经君泰创新(北京)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710702555.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种地源热泵机组性能的测试装置
- 下一篇:一种手持式擦拭采样装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造