[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201710700622.9 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN108630688B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 加藤竜也;荒井史隆;酒池耕平;永嶋贤史 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种可靠性高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体部件，沿着第1方向延伸；第1配线，沿着和所述第1方向交叉的第2方向延伸；及第1电极，配置在所述半导体部件和所述第1配线之间。所述第1电极的和所述半导体部件相向的角部的曲率半径，比所述第1电极的和所述第1配线相向的角部的曲率半径大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：半导体部件，沿着第1方向延伸；第1配线，沿着和所述第1方向交叉的第2方向延伸；及第1电极，配置在所述半导体部件和所述第1配线之间；且所述第1电极的和所述半导体部件相向的角部的曲率半径，比所述第1电极的和所述第1配线相向的角部的曲率半径大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710700622.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种存储单元及非易失性存储器
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
