[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

衬底；

第1半导体部件，沿着和所述衬底的表面垂直的第1方向延伸；

第1配线，沿着和所述第1方向交叉的第2方向延伸，所述第2方向和所述衬底的所述表面平行；及

第1电极，配置在所述第1半导体部件和所述第1配线之间；且

所述第1电极的和所述第1半导体部件相向的角部的曲率半径，比所述第1电极的和所述第1配线相向的角部的曲率半径大；

所述半导体存储装置还具备：

第2配线，在所述第2方向上延伸；

第2电极，配置在所述第1半导体部件和所述第2配线之间，所述第2电极在和所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上与所述第1电极相邻，所述第3方向和所述衬底的所述表面平行；

绝缘部件，设置在所述第1配线和所述第2配线之间，所述绝缘部件在所述第1方向上延伸；及

第1绝缘膜，设置在所述第1配线和所述第1电极之间及所述第1电极和所述绝缘部件之间；

所述第1半导体部件在所述第3方向上配置在所述第1电极和所述第2电极之间；

所述半导体存储装置还具备：

第2半导体部件，在所述第2方向上相邻于所述第1半导体部件，且在所述第1方向上延伸；且

所述绝缘部件设置在所述第1半导体部件和所述第2半导体部件之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

还具备：第2绝缘膜，设置在所述第2配线和所述第2电极之间及所述第2电极和所述绝缘部件之间。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

还具备：第3绝缘膜，设置在所述第1半导体部件和所述第1电极之间。

4.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

衬底；

第1半导体部件，沿着和所述衬底的表面垂直的第1方向延伸；

第1配线，沿着和所述第1方向交叉的第2方向延伸，所述第2方向和所述衬底的所述表面平行；及

第1电极，配置在所述第1半导体部件和所述第1配线之间，具有第1面和第2面，所述第1面和所述半导体部件相对，所述第2面和所述第1方向及所述第2方向交叉，且在从所述第1配线朝向所述第1半导体部件的第3方向延伸；且

所述第1面具有第1部，所述第2面具有第2部，随着从所述第1部朝向所述第2部，逐渐远离所述第1半导体部件地倾斜，

所述半导体存储装置还具备：

第2配线，在所述第2方向上延伸；

第2电极，配置在所述第1半导体部件和所述第2配线之间；

绝缘部件，设置在所述第1配线和所述第2配线之间，所述绝缘部件在所述第1方向上延伸；

第1绝缘膜，设置在所述第1配线和所述第1电极之间及所述第1电极和所述绝缘部件之间；

所述第1半导体部件在所述第3方向上设置在所述第1电极和所述第2电极之间，所述第3方向和所述衬底的所述表面平行，

所述半导体存储装置还具备：

第2半导体部件，在所述第2方向上相邻于所述第1半导体部件，且在所述第1方向上延伸；且

所述绝缘部件设置在所述第1半导体部件和所述第2半导体部件之间。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：

还具备：第4绝缘膜，设置在所述第1半导体部件和所述第1电极之间。