[发明专利]真空电子束熔炼装置有效
申请号: | 201710693743.5 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN107267770B | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 赵国华;慈连鳌;许文强;张晓卫;高学林;罗立平 | 申请(专利权)人: | 核工业理化工程研究院;沈阳腾鳌真空技术有限公司 |
主分类号: | C22B9/22 | 分类号: | C22B9/22 |
代理公司: | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人: | 周庆路 |
地址: | 300180 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种真空电子束熔炼装置,包括真空室,以及水冷坩埚;所述的水冷坩埚包括,顶部中心形成有物料池的坩埚,以及与所述的坩埚底部固定连接的法兰板;物料池周侧水冷机构和物料池底部水冷机构。本发明的水冷坩埚结合热源及真空容器,用于真空金属冶炼提纯的工艺技术,提高了安全性和可靠性。尤其是安装式机构,将进出水口安置在真空室外侧,真空室内部无焊缝,无加工面,即使漏水也会流向真空室外,保证了安全性能。 | ||
搜索关键词: | 真空 电子束 熔炼 装置 | ||
【主权项】:
1.一种真空电子束熔炼装置,其特征在于,包括真空室,以及水冷坩埚;所述的水冷坩埚包括,顶部中心形成有物料池的坩埚,以及与所述的坩埚底部固定连接的法兰板;物料池周侧水冷机构包括于坩埚的物料池底部向内凹陷地形成的一段C型水槽,所述的水槽由所述的法兰板将下开口封闭,其中,在所述的水槽内固定设置有导流立柱,所述的导流立柱上端或下端形成有过流孔以使所述的水槽与过流孔配合构成上下迂回式水道;所述的水槽两侧形成有弧形凹窝以定位所述的导流立柱,所述的导流立柱过渡配合或者过盈配合地设置在所述的水槽内;所述的过流孔由导流立柱端部的通孔形成,或,所述的过流孔由所述的导流立柱端面与水槽顶面或法兰板上表面间的间隙构成;物料池底部水冷机构包括形成在所述的坩埚于物料池周侧的底部且下端口被所述的法兰板密封的4个水孔,形成在所述的法兰板上的4个通孔;与所述的通孔一一对应地固定设置且可匹配插入所述的水孔中并与水孔保持间隔的导水管,水孔两两为一组且由连接槽连通,所述的水槽与两组水孔的导水管分别由接引部导通,剩余的另外两个导水柱分别与进水管和出水管连通,还包括与所述的法兰板密封固定连接底法兰板,在所述的法兰板底面形成有接引槽,所述的底法兰板将所述的接引槽槽下端口封闭以构成所述的接引部;所述的水孔、连接槽、导水管、水槽和接引部构成整体单向通道;所述的真空室开设有安装孔,所述的水冷坩埚通过法兰板固定设置在所述的安装孔处,其中,所述的坩埚底端形成有外凸式连接环,所述的连接环与所述的真空室的外壁法兰式固定连接。
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