[发明专利]一种电池片背部钝化工艺

摘要

一种电池片背部钝化工艺，包括以下步骤扩散、抛光清洗、背部钝化沉积、激光处理和印刷烧结，其中，印刷烧结时使用的氧化铝溶胶成分包含金属铝粉、PbO‑B2O3‑SiO2铅系玻璃粉末、邻苯二甲酸酯类和硅烷偶联剂。在本发明中我们提供了一种电池片背部钝化工艺，形成一种新的背电极和背电场结构；在电池背部沉积氧化铝后退火并控制温度和时间，使样品中的固定负电荷密度提高，改善了Al2O3膜与晶体硅接触的界面质量，降低了界面缺陷态密度；同时在铝浆中添加硅烷偶联剂可以有效降低邻苯二甲酸酯类的表面张力，减小铝浆的接触电阻。

主权项

一种电池片背部钝化工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)扩散：将制绒后的P型单晶硅进行P扩散，扩散温度为890‑910℃，方阻为70‑100Ω/cm；2)抛光清洗：利用抛光酸腐蚀溶液或者碱腐蚀溶液将硅片背面腐蚀并进行抛光，用5‑10％的HF溶液清洗硅片5‑8min，去除正面的磷硅玻璃，用主要成分为H2O2和NH3.H2O的混合溶液清洗硅片背面，控制温度为90‑100℃；3)背部钝化沉积：在硅片背面利用PECVD沉积氧化铝，沉积薄膜厚度为30nm‑60nm，在温度为350‑400℃时退火，退火时间为5‑6min；控制沉积氮化硅时的温度为450‑500℃、NH3/SiH4气流比为6‑12:1、气体总流量为3500‑4500sccm，在硅片背面沉积薄膜厚度为75‑90nm，正面沉积氮化硅薄膜厚度为60‑80nm；4)激光处理：利用激光局部去除硅片背面沉积的薄膜层，形成若干薄膜开孔；用5‑10％的HF溶液清洗硅片背面5‑8min，去除背面的激光损伤层；5)印刷烧结：通过丝网印刷将氧化铝溶胶涂布于基材上，并形成一预定图案的涂层，在160‑180℃干燥10min，接着在560‑600℃的温度下烧结，基材上形成具有该预定图案的钝化层；其中，氧化铝溶胶成分包含以下重量份材料：金属铝粉43‑50份，PbO‑B2O3‑SiO2铅系玻璃粉末30‑46份，邻苯二甲酸酯类10‑12份，硅烷偶联剂6‑10份。