[发明专利]一种电池片背部钝化工艺

权利要求书

1.一种电池片背部钝化工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1)扩散：将制绒后的P型单晶硅进行P扩散，扩散温度为890-910℃，方阻为70-100Ω/cm；

2)抛光清洗：利用抛光酸腐蚀溶液或者碱腐蚀溶液将硅片背面腐蚀并进行抛光，用5-10％的HF溶液清洗硅片5-8min，去除正面的磷硅玻璃，用主要成分为H₂O₂和NH₃.H₂O的混合溶液清洗硅片背面，控制温度为90-100℃；

3)背部钝化沉积：在硅片背面利用PECVD沉积氧化铝，沉积薄膜厚度为30nm-60nm，在温度为350-400℃时退火，退火时间为5-6min；控制沉积氮化硅时的温度为450-500℃、NH₃/SiH₄气流比为6-12:1、气体总流量为3500-4500sccm，在硅片背面沉积薄膜厚度为75-90nm，正面沉积氮化硅薄膜厚度为60-80nm；

4)激光处理：利用激光局部去除硅片背面沉积的薄膜层，形成若干薄膜开孔；用5-10％的HF溶液清洗硅片背面5-8min，去除背面的激光损伤层；

5)印刷烧结：通过丝网印刷将氧化铝溶胶涂布于基材上，并形成一预定图案的涂层，在160-180℃干燥10min，接着在560-600℃的温度下烧结，基材上形成具有该预定图案的钝化层；

其中，氧化铝溶胶成分包含以下重量份材料：金属铝粉43-50份，PbO-B₂O₃-SiO₂铅系玻璃粉末30-46份，邻苯二甲酸酯类10-12份，硅烷偶联剂6-10份。

2.根据权利要求1中所述的一种电池片背部钝化工艺，其特征在于，所述P型单晶硅电阻掺杂浓度为0.2-10Ω·cm。

3.根据权利要求1中所述的一种电池片背部钝化工艺，其特征在于，所述抛光腐蚀溶液为KOH溶液。

4.根据权利要求1中所述的一种电池片背部钝化工艺，其特征在于，所述铝粉的中心粒径为5μm，玻璃粉的中心粒径为1.3μm。