[发明专利]一种半导体存储器的晶体管结构及制作方法在审
| 申请号： | 201710682071.8 | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN107342327A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器的晶体管结构及制作方法，该结构包括半导体衬底，具有复数个有源区及沟渠绝缘结构，每一有源区具有第一接触区与第二接触区，半导体衬底在预定列方向形成复数个沟槽，贯穿在预定列方向上的有源区与沟渠绝缘结构，以分离有源区的第一接触区与第二接触区，其中沟槽在有源区的区段具有第一深度，在沟渠绝缘结构的区段具有第二深度，第一深度不同于第二深度且不超过沟渠绝缘结构的第三深度；复数个沟槽导线，埋设于沟槽中，其中沟槽在有源区的区段底部为微沟渠结构，沟槽导线更填入微沟渠结构，以形成朝向半导体衬底内部的微鳍部栅极结构，且微鳍部栅极结构与沟槽导线一体连接。本发明可增加传输通道宽度，提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储器 晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器的晶体管结构，其特征在于，包括：半导体衬底，具有复数个有源区及隔离所述有源区的沟渠绝缘结构，每一有源区具有在所述半导体衬底上的第一接触区与第二接触区，所述半导体衬底在预定列方向设有复数个沟槽，贯穿在预定列方向上的所述有源区与所述沟渠绝缘结构，以分离所述有源区的所述第一接触区与所述第二接触区，其中所述沟槽在所述有源区的区段具有第一深度，所述沟槽在所述沟渠绝缘结构的区段具有第二深度，所述第一深度不相同于所述第二深度且不超过所述沟渠绝缘结构的第三深度；及复数个沟槽导线，埋设于所述沟槽中，其中所述沟槽在所述有源区的区段底部为微沟渠结构，所述沟槽导线更填入所述微沟渠结构，以形成朝向所述半导体衬底内部的微鳍部栅极结构，并且所述微鳍部栅极结构与所述沟槽导线的主体为一体连接。
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