[发明专利]存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法

摘要

本申请案涉及包括可编程电荷存储晶体管的存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法。所述存储器单元个别地包括可编程电荷存储晶体管，衬底包括含有存储器单元的第一区域及横向于所述第一区域的不含有存储器单元的第二区域。所述第一区域包括绝缘性材料与控制栅极材料的垂直交替叠层。所述第二区域包括横向于所述第一区域的不同组合物绝缘材料的垂直交替叠层。包括半导电沟道材料的沟道柱在高度上延伸穿过所述第一区域内的所述垂直交替叠层中的多者。隧道绝缘体、可编程电荷存储材料及控制栅极阻挡绝缘体介于所述沟道柱与所述第一区域内的所述控制栅极材料的所述叠层中的个别者的所述控制栅极材料之间。

主权项

一种形成存储器单元的高度上延伸的串的阵列的方法，所述存储器单元个别地包括可编程电荷存储晶体管，所述方法包括：形成包括不同组合物绝缘材料的垂直交替叠层的堆叠；穿过所述交替叠层形成高度上延伸的沟道开口且穿过所述交替叠层形成高度上延伸的壁开口，所述壁开口与所述沟道开口的一行横向地间隔开且在所述沟道开口旁边沿着所述行水平地延伸；将可编程电荷存储材料及半导电沟道材料形成到所述沟道开口中及形成到所述壁开口中，以针对所述高度上延伸的串中的个别者而在所述沟道开口中的个别者中形成包括所述半导电沟道材料及所述可编程电荷存储材料的高度上延伸的柱，且在所述壁开口中形成高度上延伸的壁，所述壁包括所述可编程电荷存储材料及所述半导电沟道材料且在所述沟道开口旁边沿着所述行水平地延伸，所述壁包括面向所述柱的第一侧及背对所述柱的与所述第一侧相对的第二侧；在形成所述壁之后，在所述壁的所述第一侧上穿过不同组合物绝缘材料的所述交替叠层形成接达开口；通过所述接达开口而各向同性地蚀刻所述不同组合物绝缘材料中的介于另一组合物绝缘材料的叠层之间的一种组合物绝缘材料，且在所述壁的所述第一侧上用所述存储器单元的控制栅极材料来替换所述一种绝缘材料，在所述各向同性蚀刻期间，所述壁限制蚀刻流体从所述壁的所述第一侧传递到所述壁的所述第二侧的横向接达；及在所述壁的所述第二侧上穿过不同组合物绝缘材料的所述交替叠层设置高度上延伸的导电导通体。