[发明专利]退火设备工艺能力的监控方法有效
申请号: | 201710676355.6 | 申请日: | 2017-08-09 |
公开(公告)号: | CN107492492B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 李楠;张凌越;国子明 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种退火设备工艺能力的监控方法,通过在裸片晶圆表面形成第一氧化层,并测量所述第一氧化层的厚度,再对所述第一氧化层的进行一退火工艺,形成第二氧化层,然后测试所述第二氧化层的厚度,通过判断所述第一氧化层和所述第二氧化层的厚度差是否符合控制要求来判断退火设备的工艺能力,若其厚度差满足控制要求,则判定所述退火设备状况正常,适用于进行退火工艺,可进行产品的批量生产;若不满足,则判定所述退火设备状况异常,不适用于进行退火工艺,不可进行产品的批量生产。本发明提供的退火设备工艺能力的监控方法简单有效,提高了产品的良率,避免了批量不良品的产生。 | ||
搜索关键词: | 退火 设备 工艺 能力 监控 方法 | ||
【主权项】:
一种退火设备工艺能力的监控方法,其特征在于,所述退火设备用于对氧化层进行退火,所述退火设备工艺能力的监控方法包括:提供一裸片晶圆;在所述裸片晶圆上形成第一氧化层;测试所述第一氧化层的厚度;对所述第一氧化层进行退火,形成第二氧化层;测试所述第二氧化层的厚度,并判断所述第一氧化层和所述第二氧化层的厚度差是否符合控制要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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