[发明专利]退火设备工艺能力的监控方法有效
| 申请号： | 201710676355.6 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107492492B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李楠;张凌越;国子明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 退火 设备 工艺 能力 监控 方法 | ||
1.一种退火设备工艺能力的监控方法，其特征在于，所述退火设备用于对氧化层进行退火，所述退火设备工艺能力的监控方法包括：
提供一裸片晶圆；
在所述裸片晶圆上形成第一氧化层；
测试所述第一氧化层的厚度；
对所述第一氧化层进行退火，形成第二氧化层；
测试所述第二氧化层的厚度，并判断所述第一氧化层和所述第二氧化层的厚度差是否符合控制要求。
2.如权利要求1所述的退火设备工艺能力的监控方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度小于所述第二氧化层的厚度。
3.如权利要求1所述的退火设备工艺能力的监控方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为80埃-150埃。
4.如权利要求1所述的退火设备工艺能力的监控方法，其特征在于，所述第一氧化层与所述第二氧化层的达标厚度差为6-10埃。
5.如权利要求1所述的退火设备工艺能力的监控方法，其特征在于，采用一氧化二氮对所述第一氧化层进行退火。
6.如权利要求1所述的退火设备工艺能力的监控方法，其特征在于，对所述第一氧化层进行退火的温度为900度-1200度。
7.如权利要求6所述的退火设备工艺能力的监控方法，其特征在于，对所述第一氧化层进行退火的时间为50s-100s。
8.如权利要求1所述的退火设备工艺能力的监控方法，其特征在于，通过在750度-1100摄氏度下热氧化形成所述第一氧化层。
9.如权利要求8所述的退火设备工艺能力的监控方法，其特征在于，热氧化形成所述第一氧化层的时间为1440s-1680s。
10.如权利要求1所述的退火设备工艺能力的监控方法，其特征在于，在所述裸片晶圆上形成第一氧化层之前，所述退火设备工艺能力的监控方法还包括：对所述裸片晶圆进行湿法清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
