[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质有效
| 申请号： | 201710676088.2 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107871711B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 岛本聪;森谷敦 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。其目的在于，提供能抑制半导体器件的特性不均的技术。为实现上述目的，半导体器件的制造方法具有：接收测定数据的工序，所述测定数据为在具有形成有金属膜的多个槽、和在所述多个槽间设置的多个柱体的衬底之中，所述衬底的中央面中的所述柱体的宽度、和构成于所述中央面的外周的外周面中的所述柱体的宽度的测定数据；及以如下方式在所述槽形成所述调整膜的工序：使得所述柱体的宽度与邻接于所述柱体而形成的调整膜的宽度之和，在所述中央面与所述外周面处成为规定范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，具有：接收测定数据的工序，所述测定数据为在具有形成有金属膜的多个槽、和在所述多个槽间设置的多个柱体的衬底之中，所述衬底的中央面中的所述柱体的宽度、和构成于所述中央面的外周的外周面中的所述柱体的宽度的测定数据；及以如下方式在所述槽形成调整膜的工序：使得所述柱体的宽度与邻接于所述柱体而形成的所述调整膜的宽度之和，在所述中央面与所述外周面处成为规定范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
