[发明专利]互补式金属氧化物半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种互补式金属氧化物半导体元件及其制作方法。该互补式金属氧化物半导体元件包含多个主动区，沿着第一方向延伸，并沿着第一方向排列在基底上，彼此由绝缘结构区隔开，其中位于相邻主动区相邻末端之间的绝缘结构包含一凹陷区域，该凹陷区域被一包含应力的层间介电层填满。

主权项

1.一种互补式金属氧化物半导体元件，包含:基底；绝缘结构位于该基底上；多个主动区位于该基底上并贯穿该绝缘结构，其中该多个主动区沿着一第一方向延伸并且沿着该第一方向排列；一对第一栅极，设在各该主动区的两末端，其中各该第一栅极包含一内边缘横跨该主动区，以及一外边缘完全位于该绝缘结构上；至少一第二栅极，位于该对第一栅极之间并且横跨该主动区；多个该绝缘结构的凹陷区域，沿着该第一方向排列在相邻该主动区的相邻末端之间，并且邻接该第一栅极的外边缘；以及层间介电层，覆盖该绝缘结构、该主动区、该第一栅极以及该第二栅极并且填满该凹陷区域，其中该层间介电层包含一应力。