[发明专利]互补式金属氧化物半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种互补式金属氧化物半导体元件，包含:

基底；

多个主动区，位于该基底上并由绝缘结构间隔开，其中该多个主动区沿着一第一方向延伸并且沿着该第一方向排列；

一对第一栅极，设在各该主动区的两末端，其中各该第一栅极包含一内边缘横跨该主动区，以及一外边缘完全位于该绝缘结构上；

至少一第二栅极，位于该对第一栅极之间并且横跨该主动区；

该绝缘结构的多个凹陷区域，沿着该第一方向排列在相邻该主动区的相邻末端之间，并且邻接该第一栅极的外边缘，其中该绝缘结构未被该第一栅极和该第二栅极覆盖的部分包括一第二顶面，该多个凹陷区域的底面低于该第二顶面；以及

层间介电层，覆盖该绝缘结构、该主动区、该第一栅极以及该第二栅极并且填满该多个凹陷区域，其中该层间介电层包含一应力。

2.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体元件，其中该主动区被该第二栅极覆盖的区域包含一通道区。

3.如权利要求2所述的互补式金属氧化物半导体元件，其中该通道区为N型通道区，该层间介电层包含一伸张应力(tensile)。

4.如权利要求2所述的互补式金属氧化物半导体元件，其中该通道区为P型通道区，该层间介电层包含一压缩应力(compressive)。

5.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体元件，其中该绝缘结构被该第一栅极和该第二栅极覆盖住的部分包括一第一顶面。

6.如权利要求5所述的互补式金属氧化物半导体元件，其中该第二顶面齐平或低于该第一顶面。

7.如权利要求5所述的互补式金属氧化物半导体元件，其中该层间介电层直接覆盖该绝缘结构的该第二顶面。

8.如权利要求5所述的互补式金属氧化物半导体元件，其中该凹陷区域周围被该第一顶面和该第二顶面包围。

9.如权利要求1所述的互补式金属氧化物半导体元件，其中该凹陷区域的侧壁与该第一栅极的侧壁垂直对齐。

10.一种互补式金属氧化物半导体元件的制作方法，包含:

提供一基底；

形成多个主动区，沿着一第一方向延伸并沿着该第一方向排列在该基底上；

形成一绝缘结构，位于该基底上并包围各该主动区；

形成一对第一栅极，各覆盖各该主动区的一末端，以及至少一第二栅极，位于该对第一栅极之间并且横跨过该主动区；

形成一图案化掩模层，包含多个开口，沿着该第一方向排列在该多个主动区的相邻末端之间，暴露出部分该绝缘结构；

进行一蚀刻制作工艺，自该多个开口移除部分该绝缘结构，形成多个凹陷区域；

移除该图案化掩模层以露出该绝缘结构的一第二顶面，该多个凹陷区域的底面低于该第二顶面；以及

形成一层间介电层，覆盖该绝缘结构、该主动区、该第一栅极以及该第二栅极，并且填满该多个凹陷区域。

11.如权利要求10所述的制作方法，其中各该第一栅极包含一内边缘横跨过该主动区，以及一外边缘完全位于该绝缘结构上。

12.如权利要求11所述的制作方法，其中该开口暴露出部分该第一栅极的外边缘。

13.如权利要求12所述的制作方法，其中该凹陷区域自对准于该第一栅极的外边缘。

14.如权利要求10所述的制作方法，其中该绝缘结构被该第一栅极和该第二栅极覆盖住的部分包括一第一顶面。

15.如权利要求14所述的制作方法，其中该第二顶面齐平或低于该第一顶面。