[发明专利]一种功率半导体器件的终端结构

摘要

本发明属于半导体功率器件制备技术领域，特别涉及一种功率半导体器件的场限环终端结构。本发明在传统场限环位置额外引入轻掺杂埋层，相对于传统场限环结构，本发明能够利用埋层与外延层相互耗尽，改变外延层中的电场分布，缓解曲面结位置处的电场集中，减小终端面积；相对于常规埋层结构，本发明采用多个与等位环或场限环相连的埋层，增加埋层数量，减小单个埋层长度，降低对工艺偏差的敏感度。

主权项

一种功率半导体器件的终端结构，包括从下至上依次层叠设置的金属化阴极(1)、第一导电类型半导体衬底(2)、第一导电类型半导体轻掺杂外延层(3)和场氧层(8)；所述第一导电类型半导体轻掺杂外延层(3)上层一侧具有第二导电类型半导体主结(4)，另一侧具有第一导电类型截止环(7)，所述第二导电类型半导体主结(4)的部分上表面具有金属化阳极(9)，所述金属化阳极(9)沿场氧层(8)上表面向靠近第一导电类型截止环(7)的一侧延伸，所述第一导电类型截止环(7)的上表面和部分第二导电类型半导体主结(4)的上表面与场氧层(8)接触；在所述第二导电类型半导体主结(4)靠近第一导电类型截止环(7)的侧面具有第二导电类型半导体等位环(5)，第二导电类型半导体等位环(5)的上表面与场氧层(8)接触；在所述第二导电类型半导体等位环(5)靠近第一导电类型截止环(7)的侧面具有第二导电类型半导体等位环埋层(51)，所述第二导电类型半导体等位环埋层(51)的下表面结深与第二导电类型半导体等位环(5)的下表面结深相同，第二导电类型半导体等位环埋层(51)的上表面结深大于第二导电类型半导体等位环(5)的上表面结深；在所述第二导电类型半导体等位环(5)与第一导电类型截止环(7)之间的第一导电类型半导体轻掺杂外延层(3)中，具有至少2个相同结构的第二导电类型半导体场限环，且每个第二导电类型半导体场限环在靠近第一导电类型截止环(7)一侧的侧面具有第二导电类型半导体场限环埋层，第二导电类型半导体场限环的上表面与场氧层(8)接触，所述第二导电类型半导体场限环埋层的下表面结深与第二导电类型半导体场限环的下表面结深相同，第二导电类型半导体场限环埋层的上表面结深大于第二导电类型半导体场限环的上表面结深。